Samsung Electronics a anunţat sâmbătă că a semnat un memorandum de înţelegere cu Broadcom, care prevede o colaborare extinsă în domeniile cipurilor de memorie, producţiei de cipuri prin contract şi ambalării avansate, estimată la peste 200 de miliarde de dolari până în 2030, potrivit unui articol publicat de Reuters.
Colaborarea strategică acoperă furnizarea de memorii de ultimă generaţie (inclusiv HBM), producţia pe procese de 2 nanometri şi sub 2 nanometri, precum şi tehnologii avansate de ambalare pentru acceleratoarele AI de nouă generaţie ale Broadcom, iar parteneriatul reflectă eforturile Samsung de a-şi consolida poziţia în sectorul semiconductorilor AI, a transmis sursa citată.
Compania sud-coreeană a declarat că extinderea colaborării reflectă concentrarea Samsung pe sprijinirea clienţilor cu tehnologii semiconductoare end-to-end într-o gamă din ce în ce mai diversă de aplicaţii AI şi de calcul de înaltă performanţă, conform informaţiilor transmise de Reuters.
Parteneriatul vine într-un context în care companiile tehnologice globale dezvoltă tot mai mult proprii acceleratori AI personalizaţi, în loc să se bazeze exclusiv pe procesoare grafice cu scop general, ceea ce stimulează cererea pentru parteneriate specializate de proiectare şi fabricare de cipuri, a precizat sursa citată.
Samsung va produce cipurile de comunicaţii de nouă generaţie ale Broadcom, proiectate pentru transferul de date de mare viteză, utilizând tehnologia de proces sub 2 nanometri, iar cele două companii vor colabora şi la produsele HBM de ultimă generaţie, a relatat Reuters.
Parteneriatul ar putea contribui la consolidarea afacerii de foundry a Samsung, în încercarea de a reduce decalajul faţă de liderul industriei, TSMC, iar luna trecută, co-CEO-ul şi şeful diviziei de cipuri, Jun Young-hyun, a declarat că a discutat despre cooperarea de next-generation foundry cu Jensen Huang, directorul general al Nvidia, a încheiat Reuters.


















































Opinia Cititorului